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WHB-XN15D4、WHB-SY15D4

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闭环霍尔电流传感器-WHB-XN15D4、WHB-SY15D4...

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闭环霍尔电流传感器-WHB-XN15D4

XN产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器,其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作,磁路采用了双环路结构,有着体积小,精度高,一致性好的优点,广泛用于变频,伺服等领域;安装结构为PCB安装方式

霍尔效应是霍尔技术应用的理论基础,当通有小电流的半导体薄片置于磁场中时,半导体内的载流子受洛伦兹力的作用发生偏转,使半导体两侧产生电势差,该电势差即为霍尔电压VHVH与磁感应强度B及控制电流IC正比,经过理论推算有式(

1)关系。VH=RH/d)×B×IC1)式中:B为磁感应强度;IC为控制电流;RH为霍尔系数;d为半导体厚度。式(1)中,若保持控制电流IC不变,在一定条件下,可通过测量霍尔电压推算出磁感应强度的大小,由此建立了磁场与电压信号的联系。根据这一关系式,人们研制出了用于测量磁场的半导体器件,即霍尔器件。


闭环霍尔电流传感器-WHB-SY15D4

SY产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器,其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作,磁路采用了双环路结构,有着体积小,精度高,一致性好的优点,双电源工作方式,被测电流01~50A不等,广泛用于变频,伺服等领域,自身采用聚氨酯进行灌封保护;安装结构为PCB安装方式

SY产品为霍尔闭环原理制成的电流传感器,其自身采用被测母牌封装的形式进行测量和工作,磁路采用了双环路结构,有着体积小,精度高,一致性好的优点,双电源工作方式,被测电流01~50A不等,广泛用于变频,伺服等领域,自身采用聚氨酯进行灌封保护;安装结构为PCB安装方式

自1879年美国物理学家EdwinHerbertHall发现霍尔效应以来,霍尔技术被越来越多地应用于工业控制的各个领域。随着元器件工艺技术的发展,由霍尔器件应用开发的霍尔电流、电压传感器的性能也有了很大提高,特别是闭环霍尔电流、电压传感器的研制成功,大大地扩展了该项技术的应用领域。

闭环电流传感器,固定式安装,穿孔测量主要应用于光伏逆变器、风电变流器、高压传动变频器、UPS电源、铁路信号控制、智能电网等众多闭环电路检测系统中。